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IC Datasheet频道、中国IC资料网

IRFR2605数据手册封面

IRFR2605 Datasheet

IC型号：
IRFR2605
PDF描述：
HEXFET? Power MOSFET
文件大小：
162.55KB

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上传产品规格书

IRFR2605 产品属性

现有数量
0现货
价格
停产
系列
HEXFET?
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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型号

版本

描述

厂商

下载
IRFR

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