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SI4490DY-T1-GE3 Datasheet

  • SI4490DY-T1-GE3

  • MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

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SI4490DY-T1-GE3 产品属性

  • 2,500

  • 分离式半导体产品

  • FET - 单

  • TrenchFET®

  • MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 逻辑电平门

  • 200V

  • 2.85A

  • 80 毫欧 @ 4A，10V

  • 2V @ 250µA

  • 42nC @ 10V

  • -

  • 1.56W

  • 表面贴装

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 8-SOICN

  • 带卷 (TR)

  • SI4490DY-T1-GE3TR

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