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              FGP20N6S2
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FGP20N6S2

更新时间:2024-11-05 14:39:34
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FGP20N6S2的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FGP20N6S2外观图

  • 标准包装：400
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.7V @ 15V，7A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：28A
  • 功率 - 最大：125W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：FGP20N6S2_NLFGP20N6S2_NL-ND
FGP20N6S2 相关信息
  • 介绍在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较
    ...定VFCE电压，VCE（ICE）=ICE×RFCE+VFCE。 图5中的示例仅考虑了CCM PFC电路的传导损耗，即假定设计目标在维持最差情况下的传导损耗小于15W。以FCP11N60 MOSFET为例，该电路被限制在5.8A，而FGP20N6S2 IGBT可以在9.8A的交流输入电流下工作。它可以传导超过MOSFET 70% 的功率。 虽然IGBT的传导损耗较小，但大多数600V IGBT都是PT （Punch Through，穿透） 型器件。PT器件具有NTC （负温...
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