品牌：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 6-SSOT
包装：3000/标准卷带
属性：
FET 类型：N 通道；  技术：MOSFET（金属氧化物）；  漏源电压（Vdss）：30V；  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12.5A（Ta）；  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V；  不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 12.5A，10V；  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA；  不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 5V；  Vgs（最大值）：±20V；  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1444pF @ 15V；  功率耗散（最大值）：2W（Ta）；  工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）；  安装类型：表面贴装型；  供应商器件封装：SuperSOT?-6 FLMP；  封装/外壳：6-SSOT 扁平引线，SuperSOT?-6 FLMP；