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              FDC855N
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FDC855N

更新时间:2024-11-25 02:30:36
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FDC855N外观图

  • 大小：278.74KB
  • 厂家：FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述：Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 6.1A, 27mヘ
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫欧 @ 6.1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：655pF @ 15V
  • 功率 - 最大：800mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商设备封装：6-SSOT
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDC855NTR
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