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              FDG314P
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FDG314P

更新时间:2024-11-21 12:56:44
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FDG314P的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FDG314P外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：650mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：63pF @ 10V
  • 功率 - 最大：480mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SC-70
  • 包装：带卷 (TR)
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