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              FDT434P
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FDT434P

更新时间:2024-11-22 10:32:24
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FDT434P的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FDT434P外观图

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1187pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDT434P-ND
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