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FF300R12ME4

更新时间:2024-11-22 02:34:11
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FF300R12ME4外观图

  • 制造商:Infineon
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.75 V
  • 在25 C的连续集电极电流:450 A
  • 栅极—射极漏泄电流:0.4 uA
  • 功率耗散:1.6 KW
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 安装风格:Screw
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    [相关信息]...。3个逆变模块为主要工作模块。 通过查找IGBT的参数,并经过计算得出:在峰值功率下各逆变模块的发热量为1016W,由于斩波模块的工况比较复杂,估算其发热量为200W,则总功耗为3248W;在额定功率下各逆变模块的发热量为574W,斩波模块的发热量为100W...
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