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FQPF18N50V2

更新时间:2024-11-20 23:50:17
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FQPF18N50V2外观图

  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:265 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:55nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3290pF @ 25V
  • 功率 - 最大:69W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220F
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:Q2658628
FQPF18N50V2 相关信息
  • 飞兆半导体新型平面型MOSFET适用SMPS和DC/DC设备
    ...。这种新技术的引用包括两方面,即在p井之间形成补偿区域以提升RDS(ON) 值,以及采用自定位工艺以提高单元密度和稳定性。 批量1,000个时,FQD/U18N20V2、FQP18N20V2、FQPF18N20V2、FQP18N50V2、FQPF18N50V2和FQA18N50V2单价分别为1.50、1.80、1.80、3.00、3.00和3.50美元。现已有样品提供及批量出货,大量订单所需的预订时间为12周或以上。 来源:xiangxueqin
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