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              GWM70-01P2
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GWM70-01P2

更新时间:2024-10-20 02:40:49
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  • 大小：68.57KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
  • 标准包装：20
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：6 N-沟道（3 相桥）
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：70A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：14 毫欧 @ 35A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：ISOPLUS-DIL?
  • 供应商设备封装：ISOPLUS-DIL?
  • 包装：管件
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