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              HGTP5N120BND
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HGTP5N120BND

更新时间:2024-11-17 05:45:37
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HGTP5N120BND的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

HGTP5N120BND外观图

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：400
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：-
  • IGBT 类型：NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.7V @ 15V，5A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：21A
  • 功率 - 最大：167W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
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