大小：129.33KB
厂家：SUNMATE/森美特
描述：DO-201AD Case: DO-201AD,Molded Plastic HER301 - HER308 CURRENT: 3.0 A VOLTAGE RANGE: 50 - 1000V ! Diffused Junction ! Low Forward Voltage Drop ! ! High Reliability ! High Surge Current Capability ! ! Terminals: Plated Leads Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ! Polarity: Cathode Band ! Weight: 1.2 grams (approx.) ! Mounting Position: Any ! Marking: Type Number High Current Capability Dim Min Max A 25.40 — B 8.50 9.53 C 0.96 1.06 D 4.80 5.21 All Dimensions in mm A A B C D Features Mechanical Data Maximum Ratings and Electrical Characteristics T A = 25C unless otherwise specified Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. HIGH EFFICIENCY RECTIFIER DIODES SYMBOL HER 301 HER 302 HER 303 HER 304 HER 305 HER 306 HER 307 HER 308 UNIT Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 50 100 200 300 400 600 800 1000 V Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 140 210 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking
制造商：Taiwan Semiconductor
产品种类：整流器
产品：Ultra Fast Recovery Rectifiers
配置：Single
反向电压：1000 V
正向电压下降：1.7 V
恢复时间：75 ns
正向连续电流：3 A
最大浪涌电流：150 A
反向电流 IR：10 uA
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：DO-201AD
封装：Reel
最大工作温度：+ 150 C
最小工作温度：- 65 C
工厂包装数量：1250
零件号别名：R0

HER308 相关信息

一种宽输入双管反激式开关电源的设计

...作频率f为100 kHz，主变压器选用PC40 EE25高频磁芯，驱动隔离变压器选用T57 R12.5×7.5×5高频脉冲变压器磁芯，主开关VT1 和VT2 选用APT 4M120K N沟道MOSFET，钳位二极管VD1和VD2选用HER308肖特基二极管，整流二极管VD3选用CQ504，保护电路开关管VD4选用IRF9640 P沟道MOSFET。 5 结束语实验证明，由于本设计采用了反激式拓扑结构，因此，电路工作稳定度好。这种结构的特...
静电感应晶闸管在电源电路中的应用研究

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