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IPB47N10S-33

更新时间:2024-11-25 09:40:44
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  • 深圳市深创辉科技有限公司

  • IPB47N10S-33

    IPB47N10S-33

  • 4500

  • Infineon Technologies

  • TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/24+

  • 100%原装如有假任罚，价优支持实单联系徐小姐

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IPB47N10S-33的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IPB47N10S-33外观图

  • 数据列表：IPx47N10S-33
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：SIPMOS®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：47A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：33 毫欧 @ 33A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 2mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：105nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2500pF @ 25V
  • 功率 - 最大：175W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：PG-TO263-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IPB47N10S-33-NDIPB47N10S-33TRSP000225702
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