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IPB054N08N3 G

更新时间:2024-11-22 07:27:25
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  • 深圳市深创辉科技有限公司

  • IPB054N08N3 G

    IPB054N08N3 G

  • 4500

  • Infineon Technologies

  • TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/24+

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IPB054N08N3 G外观图

  • 数据列表：IPx054,57N08N3 G
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.4 毫欧 @ 80A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 90µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：69nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4750pF @ 40V
  • 功率 - 最大：150W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：PG-TO263-2
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IPB054N08N3 G-NDSP000395166
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