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IPB200N15N3 G

更新时间:2024-11-25 04:42:57
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IPB200N15N3 G外观图

  • 数据列表：IPx200N15N3 G
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 50A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 90µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1820pF @ 75V
  • 功率 - 最大：150W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：PG-TO263-2
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IPB200N15N3 G-NDIPB200N15N3 GTRSP000414740
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