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              IPB26CNE8N G
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IPB26CNE8N G

更新时间:2024-11-25 07:26:57
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  • 深圳市深创辉科技有限公司

  • IPB26CNE8N G

    IPB26CNE8N G

  • 4500

  • Infineon Technologies

  • TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/24+

  • 100%原装如有假任罚，价优支持实单联系徐小姐

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IPB26CNE8N G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IPB26CNE8N G外观图

  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：85 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：35 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：26 m Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263
  • 封装：Reel
  • 下降时间：3 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：38 S / 19 S
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：71 W
  • 上升时间：4 ns
  • 工厂包装数量：1000
  • 典型关闭延迟时间：13 ns
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