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              IPD05N03LB G
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IPD05N03LB G

更新时间:2024-10-21 02:53:13
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IPD05N03LB G的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IPD05N03LB G外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：OptiMOS?
  • 包装：卷带（TR）
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 60A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 40μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：25 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3200 pF @ 15 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：94W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PG-TO252-3-11
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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