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              IPD12CNE8N G
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IPD12CNE8N G

更新时间:2024-10-27 05:29:13
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  • 制造商：Infineon
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：85 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：67 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0124 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-252
  • 封装：Reel
  • 下降时间：8 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：125 W
  • 上升时间：21 ns
  • 典型关闭延迟时间：32 ns
  • 零件号别名：IPD12CNE8NGXT
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