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              IPP023NE7N3G
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IPP023NE7N3G

更新时间:2024-11-25 20:21:23
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IPP023NE7N3G外观图

  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：OptiMOS? 3
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：75 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 273μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：206 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14400 pF @ 37.5 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：PG-TO220-3
  • 封装/外壳：TO-220-3
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