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              IRF5803D2PBF
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IRF5803D2PBF

更新时间:2024-11-21 23:19:40
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IRF5803D2PBF外观图

  • 大小：143.4KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode
  • 标准包装：95
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：FETKY™
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：二极管（隔离式）
  • 漏极至源极电压(Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：112 毫欧 @ 3.4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1110pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：管件
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