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              IRF5852TR
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IRF5852TR

更新时间:2024-11-22 02:58:54
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IRF5852TR的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRF5852TR外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 2.7A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：400pF @ 15V
  • 功率 - 最大：960mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽）
  • 供应商设备封装：Micro6?（TSOP-6）
  • 包装：带卷 (TR)
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