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              IRF6613TR1
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IRF6613TR1

更新时间:2024-11-22 18:58:43
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IRF6613TR1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRF6613TR1外观图

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：23A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.4 毫欧 @ 23A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：63nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5950pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 MT
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? MT
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6613TR1TR
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