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              IRF6655TRPBF
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IRF6655TRPBF

更新时间:2024-11-22 06:37:10
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IRF6655TRPBF外观图

  • 大小：4KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
  • 标准包装：4,800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：62 毫欧 @ 5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.8V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：11.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：530pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 SH
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? SH
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6655TRPBFTR
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