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IRF6775MTR1PBF

更新时间:2024-11-22 00:21:01
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  • 大小:231.1KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, DIRECTFET MZ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:DirectFET MZ; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:3.9A; Package / Case:MZ; Power Dissipation Pd:89W; Pulse Current Idm:39A; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:3V
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:56 毫欧 @ 5.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1411pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 MZ
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? MZ
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF6775MTR1PBFTR

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