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              IRF7601TR
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IRF7601TR

更新时间:2024-11-28 18:17:05
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IRF7601TR的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRF7601TR外观图

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫欧 @ 3.8A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：650pF @ 15V
  • 功率 - 最大：1.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
  • 供应商设备封装：Micro8?
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：IRF7601DKR
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