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IRF7811

更新时间:2024-11-22 07:02:56
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IRF7811外观图

  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:HEXFET?
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):28 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 15A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):23 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1800 pF @ 16 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.5W(Ta)
  • 工作温度:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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