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              IRF9910TRPBF
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IRF9910TRPBF

更新时间:2024-11-21 15:37:40
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IRF9910TRPBF的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRF9910TRPBF外观图

  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A，12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9.3 毫欧 @ 12A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：900pF @ 10V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF9910PBFTRIRF9910TRPBF-NDIRF9910TRPBFTR-ND
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