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IRF3710S

更新时间:2024-11-20 17:12:44
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IRF3710S 相关信息
  • MOSFET的驱动保护电路的设计与应用
    ...表示导通与截止时间，V表示MOS管栅极源极两端的电压，C表示栅极电容，I表示驱动器峰值驱动电流。 根据栅极电压与栅极电容的乘积为栅极电荷Q则上式可转化为T=Q/I.本设计中功率MOSFET采用IR公司的IRF3710S功率MOSFET芯片，从其datasheet可以得到MOSFET的栅极电荷为26 nC,导通/截止时间为106 ns,可以得到峰值驱动电流为，驱动电压为12 V,本设计驱动芯片采用IR公司的IR2130驱动模块，该芯片可...
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