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IRFBE30S

更新时间:2024-11-01 02:06:54
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IRFBE30S外观图

  • 数据列表:IRFBE30S,L
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3 欧姆 @ 2.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:78nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大:125W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRFBE30S
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