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              IRFIB7N50A
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IRFIB7N50A

更新时间:2024-11-24 19:24:54
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IRFIB7N50A的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRFIB7N50A外观图

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：520 毫欧 @ 4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1423pF @ 25V
  • 功率 - 最大：60W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
  • 供应商设备封装：TO-220-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFIB7N50A
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