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              IRFZ30
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IRFZ30

更新时间:2024-11-21 22:34:27
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IRFZ30 相关资料

  • 其它信息：

    30.0A/50V

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IRFZ30外观图

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 16A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1600pF @ 25V
  • 功率 - 最大：75W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFZ30
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