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IRLML5203GTRPBF

更新时间:2024-11-19 12:42:20
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IRLML5203GTRPBF的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IRLML5203GTRPBF外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：98 毫欧 @ 3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：510pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1.25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：Micro3?/SOT-23
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRLML5203GTRPBF-NDIRLML5203GTRPBFTR
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