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              IXBN75N170A
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IXBN75N170A

更新时间:2024-10-20 06:16:43
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  • 大小：91.89KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
  • 标准包装：10
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：IGBT
  • 系列：BIMOSFET™
  • IGBT 类型：-
  • 配置：单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：6V @ 15V，42A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：75A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：50µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)：7.4nF @ 25V
  • 功率 - 最大：625W
  • 输入：标准型
  • NTC 热敏电阻：无
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装：SOT-227B
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