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              IXFA12N50P
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IXFA12N50P

更新时间:2024-11-23 04:14:54
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IXFA12N50P外观图

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：Polar™ HiPerFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫欧 @ 6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1830pF @ 25V
  • 功率 - 最大：200W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）
  • 包装：管件
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