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              IXFK170N10P
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IXFK170N10P

更新时间:2024-11-23 08:41:37
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IXFK170N10P的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IXFK170N10P外观图

  • 标准包装：25
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：Polar™ HiPerFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：170A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9 毫欧 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：198nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：6000pF @ 25V
  • 功率 - 最大：714W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
  • 供应商设备封装：TO-264
  • 包装：散装
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