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              IXFN23N100
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IXFN23N100

更新时间:2024-11-23 05:44:23
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  • 大小：98.79KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：HiPerFET-TM Power MOSFET
  • 标准包装：10
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：FET
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：23A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：595W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装：SOT-227B
  • 包装：管件
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