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              IXFT24N50Q
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IXFT24N50Q

更新时间:2024-11-22 07:40:41
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  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HiPerFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：24A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：230 毫欧 @ 12A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：95nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3900pF @ 25V
  • 功率 - 最大：300W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 供应商设备封装：TO-268
  • 包装：管件
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