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              IXSQ20N60B2D1
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IXSQ20N60B2D1

更新时间:2024-10-18 21:36:39
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IXSQ20N60B2D1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IXSQ20N60B2D1外观图

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：-
  • IGBT 类型：PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.5V @ 15V，16A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：35A
  • 功率 - 最大：190W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商设备封装：TO-3P
  • 包装：散装
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