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              IXTH10N100D
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IXTH10N100D

更新时间:2024-11-19 14:39:31
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IXTH10N100D的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IXTH10N100D外观图

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.4 欧姆 @ 10A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2500pF @ 25V
  • 功率 - 最大：400W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247
  • 包装：管件
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