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              IXTH12N100
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IXTH12N100

更新时间:2024-11-01 03:45:32
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IXTH12N100的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IXTH12N100外观图

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：MegaMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.05 欧姆 @ 6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4000pF @ 25V
  • 功率 - 最大：300W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247AD
  • 包装：管件
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