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              IXTP02N50D
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IXTP02N50D

更新时间:2024-11-23 09:10:34
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IXTP02N50D外观图

  • 大小：93.28KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：耗尽模式
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 欧姆 @ 50mA，0V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：120pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1.1W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220
  • 包装：管件
  • 配用：EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST
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