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              IXTQ200N06P
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IXTQ200N06P

更新时间:2024-11-24 21:52:15
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IXTQ200N06P的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IXTQ200N06P外观图

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PolarHT™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 毫欧 @ 400A，15V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5400pF @ 25V
  • 功率 - 最大：714W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商设备封装：TO-3P
  • 包装：管件
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