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K9F5608ROD

更新时间:2024-11-22 20:35:47

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其它信息：

电源电压：1.8V设备V_CC＝1.65～1.95V；结构：存储器单元阵列：(32M+1024K)×8位，数据存储器：(512+16)×8位；自动编程和擦除：页编程：(512+16)字节，块擦除：(16K+512)字节；页读操作：页大小：(512+16)字节，随机存取：15μs(最大值)，串行访问：50ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值)，块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期，10年的数据保留时间；指令存储器操作；封装：63引脚的FBGA封装
引脚图：

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