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K9F2G08UOM-YCBO

更新时间:2024-11-02 06:51:51
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  • 其它信息：

    电源电压：1.8V设各VCC＝1.7～1.95V；结构：存储器单元阵列：(256M+8192K)×8位，数据存储器：(2K+64)×8位，缓存存储器：(2K+64)×8位；自动编程和擦除：页编程：(2K+64)字节，块擦除：(128K+4K)字节；页读操作：页大小：2KB，随机存取：25μs(最大值)，串行页访问：30ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：300μs(典型值)，块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术，10k次编程/擦除周期，10年的数据保留时间；指令存储器操作；上电自动读操作；封装：48引脚的TSOP封装；工作温度：-10～+125℃

  • 引脚图：

    K9F2G08UOM-YCBO引脚图

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