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              LPC660AIM
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LPC660AIM

更新时间:2024-11-21 21:02:22
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LPC660AIM 相关资料

  • 其它信息：

    满摆幅输出；微功耗操作：(1mW)；指定100kΩ和5kΩ负载；高电压增益120dB；低输入偏置电压3mV；低偏置电压漂移1.3μV/℃；超低输入偏置电流2fA；输入共模包括V－；操作范围为＋5～＋15V；在1kHz时低失真0．01％；转换速率0.11V/μs；完全军用温度范围

  • 引脚图：

    LPC660AIM引脚图

LPC660AIM的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：National Semiconductor (TI)
  • 通道数量：4
  • 共模抑制比（最小值）：70 dB
  • 输入补偿电压：3 mV at 5 V
  • 工作电源电压：9 V, 12 V
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-14 Narrow
  • 转换速度：0.07 V/us at 5 V
  • 关闭：No
  • 最大工作温度：+ 85 C
  • 封装：Tube
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 工厂包装数量：55
  • 电源电流：0.2 mA at 5 V
  • Supply Voltage - Max：15 V
  • Supply Voltage - Min：5 V
  • 技术：CMOS
  • 电压增益 dB：120 dB
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