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              MJD41CRLG
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MJD41CRLG

更新时间:2024-11-20 09:04:49
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MJD41CRLG的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MJD41CRLG外观图

  • 标准包装：1,800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 600mA，6A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：15 @ 3A，4V
  • 功率 - 最大：1.75W
  • 频率 - 转换：3MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：DPAK-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MJD41CRLG-NDMJD41CRLGOSTR
MJD41CRLG 相关信息
  • MJD41CRLG的技术参数
    产品型号:MJD41CRLG类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):6直流电流增益hFE最小值(dB):15直流电流增益hFE最大值(dB):75最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3总功耗PD(W):20封装/温度(℃):3DPAK/-65~150价格/1片(套):暂无 来源:零八我的爱
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