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              MJD50G
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MJD50G

更新时间:2024-11-25 19:50:29
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MJD50G外观图

  • 大小：70.4KB
  • 厂家：ON Semiconductor
  • 描述： TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:1.56W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:10; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Application Code:PGP; Collector Emitter Voltage Vces:1V; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:200mA; External Depth:10.28mm; External Length / Height:2.38mm; External Width:6.73mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:10MHz; Gain Bandwidth ft Typ:10MHz; Hfe Min:25; No. of Transistors:1; Pa...
  • 标准包装：75
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 200mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：200µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 300mA，10V
  • 功率 - 最大：1.56W
  • 频率 - 转换：10MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：DPAK-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：MJD50G-NDMJD50GOS
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