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              MMBT5550LT1
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MMBT5550LT1

更新时间:2024-11-21 21:35:29
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MMBT5550LT1 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ICM=600mA
    电压参数：UCBO=160V/UCEO=160V/UEBO=6V
    功   率：PD=300mW
    其他参数：fT=100MHz
    极   性：NPN

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MMBT5550LT1外观图

  • 大小：199.8KB
  • 厂家：MOTOROLA [Motorola, Inc]
  • 描述：High Voltage Transistors
  • 标准包装：10
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：60mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：140V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：60 @ 10mA，5V
  • 功率 - 最大：225mW
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：剪切带 (CT)
  • 其它名称：MMBT5550LT1OSCT
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