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MPS6652G

更新时间:2024-11-22 10:33:54
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  • 大小:86.4KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1000mA; DC Current Gain Max (hfe):100 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大):100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 500mA,1V
  • 功率 - 最大:625mW
  • 频率 - 转换:100MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 包装:散装
  • 其它名称:MPS6652GOS
MPS6652G 相关信息
  • MPS6652G的技术参数
    产品型号:MPS6652G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):50直流电流增益hFE最大值(dB):-最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):3TO-92/-55~150价格/1片(套):¥.60 来源:零八我的爱

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