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              MPSA56G
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MPSA56G

更新时间:2024-11-23 18:01:21
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MPSA56G外观图

  • 大小：89.4KB
  • 厂家：ON Semiconductor
  • 描述： Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation, Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain Max (hfe):100 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装：5,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 100mA，1V
  • 功率 - 最大：625mW
  • 频率 - 转换：50MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 包装：散装
  • 其它名称：MPSA56G-NDMPSA56GOS
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